NCE30H11G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE30H11G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 991 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для NCE30H11G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE30H11G даташит

 ..1. Size:371K  ncepower
 nce30h11g.pdf pdf_icon

NCE30H11G

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE30H11G NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H11G uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =110A Schematic Diagram RDS(ON)

 6.1. Size:391K  ncepower
 nce30h11bk.pdf pdf_icon

NCE30H11G

NCE30H11BK http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H11BK uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =110A Schematic diagram RDS(ON) =2.6m (typical) @ VGS=10V RDS(ON) =4.5m (typical) @ VGS=4

 6.2. Size:632K  ncepower
 nce30h11bg.pdf pdf_icon

NCE30H11G

http //www.ncepower.com NCE30H11BG NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H11BG uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It can DS(ON) be used in a wide variety of applications. General Features V =30V,I =110A DS D R =2.3m (typical) @ V =10V DS(ON) GS R =3.8m (typical) @ V =4.5V DS(ON) GS Excellen

 6.3. Size:384K  ncepower
 nce30h11k.pdf pdf_icon

NCE30H11G

http //www.ncepower.com NCE30H11K NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H11K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =110A RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE3065G, NCE3065Q, NCE3080I, NCE3080L, NCE3085K, NCE30H10BG, NCE30H10G, NCE30H11BG, STP75NF75, NCE30H12AK, NCE30H15B, NCE30H15BG, NCE30H15BK, NCE30H33LL, NCE30ND35Q, NCE30NP1812G, NCE30NP1812Q