NCE30H12AK. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE30H12AK

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 572 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для NCE30H12AK

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE30H12AK даташит

 ..1. Size:721K  ncepower
 nce30h12ak.pdf pdf_icon

NCE30H12AK

http //www.ncepower.com NCE30H12AK NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H12AK uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features V =30V,I =120A DS D R

 6.1. Size:352K  ncepower
 nce30h12.pdf pdf_icon

NCE30H12AK

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE30H12 NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H12 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =120A RDS(ON)

 6.2. Size:418K  ncepower
 nce30h12k.pdf pdf_icon

NCE30H12AK

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE30H12K NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H12K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =120A RDS(ON)

 6.3. Size:953K  cn vbsemi
 nce30h12k.pdf pdf_icon

NCE30H12AK

NCE30H12K www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.0023 at VGS = 10 V 120 30 82 nC 0.0032 at VGS = 4.5 V 100 APPLICATIONS D OR-ing Server TO-252 DC/DC G G D S Top View S N-Channel MOSFET

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE3065Q, NCE3080I, NCE3080L, NCE3085K, NCE30H10BG, NCE30H10G, NCE30H11BG, NCE30H11G, 2N7002, NCE30H15B, NCE30H15BG, NCE30H15BK, NCE30H33LL, NCE30ND35Q, NCE30NP1812G, NCE30NP1812Q, NCE30NP4030G