NCE30NP4030G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NCE30NP4030G  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180.8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NCE30NP4030G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE30NP4030G даташит

 ..1. Size:413K  ncepower
 nce30np4030g.pdf pdf_icon

NCE30NP4030G

http //www.ncepower.com NCE30NP4030G NCE N&P-Channel complementary Power MOSFET Description The NCE30NP4030G uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge.This device is suitable for use in inverter and other applications. Genera Features N-channel P-channel VDS = 30V,ID = 40A VDS = -30V,ID =- 30A Schematic diagram RDS(ON)

 7.1. Size:425K  ncepower
 nce30np07s.pdf pdf_icon

NCE30NP4030G

http //www.ncepower.com NCE30NP07S N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30NP07S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features N-channel P-channel N-Channel VDS = 30V,ID =6.5

 7.2. Size:380K  ncepower
 nce30np1812k.pdf pdf_icon

NCE30NP4030G

NCE30NP1812K http //www.ncepower.com N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30NP1812K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features N-Channel Schematic diagram VDS =30V,ID =18A

 7.3. Size:928K  ncepower
 nce30np1812g.pdf pdf_icon

NCE30NP4030G

http //www.ncepower.com NCE30NP1812G NCE N-Channel and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30NP1812G uses advanced trench technology to provide excellent R and low gate charge.This device is DS(ON) suitable for use in inverter and other applications. Genera Features N-channel P-channel Schematic diagram V = 30V,I = 18A V = -30V,I =- 12A DS D DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE30H12AK, NCE30H15B, NCE30H15BG, NCE30H15BK, NCE30H33LL, NCE30ND35Q, NCE30NP1812G, NCE30NP1812Q, IRFP260, NCE30P06J, NCE30P10S, NCE30P12BS, NCE30P15AS, NCE30P16Q, NCE30P25BQ, NCE30P25Q, NCE30P30L