Справочник MOSFET. NCE30P25BQ

 

NCE30P25BQ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NCE30P25BQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 42.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 217 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3-8L

 Аналог (замена) для NCE30P25BQ

 

 

NCE30P25BQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:735K  ncepower
 nce30p25bq.pdf

NCE30P25BQ NCE30P25BQ

http://www.ncepower.comNCE30P25BQNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral Features V = -30V,I = -25ADS DDescriptionR

 6.1. Size:334K  ncepower
 nce30p25s.pdf

NCE30P25BQ NCE30P25BQ

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE30P25SNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30P25S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load switch or power management. General Features Schematic diagram VDS = -30V,ID = -25A RDS(ON)

 6.2. Size:682K  ncepower
 nce30p25q.pdf

NCE30P25BQ NCE30P25BQ

http://www.ncepower.com NCE30P25QNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30P25Q uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge . This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Schematic diagram General Features VDS = -30V,ID = -25A RDS(ON)

 7.1. Size:256K  ncepower
 nce30p28q.pdf

NCE30P25BQ NCE30P25BQ

http://www.ncepower.com NCE30P28QNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30P28Q uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load switch or power management. Schematic diagram General Features VDS = -30V,ID = -28A RDS(ON)

 7.2. Size:345K  ncepower
 nce30p20q.pdf

NCE30P25BQ NCE30P25BQ

http://www.ncepower.com NCE30P20QNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30P20Q uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge . This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features Schematic diagram VDS = -30V,ID = -20A RDS(ON)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top