NCE3134 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NCE3134  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NCE3134

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE3134 даташит

 ..1. Size:267K  ncepower
 nce3134.pdf pdf_icon

NCE3134

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE3134 NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3134 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features VDS = 20V,ID =0.75A Sche

Другие IGBT... NCE30P25BQ, NCE30P25Q, NCE30P30L, NCE30P40K, NCE30P55K, NCE30P55L, NCE30P60G, NCE30P85K, AON7410, NCE3400E, NCE3400XY, NCE3401A, NCE3401BY, NCE3401E, NCE3401Y, NCE3402, NCE3402A