Справочник MOSFET. NCE3134

 

NCE3134 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCE3134
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 57 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для NCE3134

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE3134 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:267K  ncepower
 nce3134.pdf pdf_icon

NCE3134

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE3134NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3134 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features VDS = 20V,ID =0.75A Sche

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top

 


 
.