Справочник MOSFET. NCE3N150F

 

NCE3N150F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NCE3N150F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 32 nC
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для NCE3N150F

 

 

NCE3N150F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:608K  ncepower
 nce3n150f.pdf

NCE3N150F NCE3N150F

NCE3N150FN-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral DescriptionThe series of Power MOSFETs use advanced V 1650 VDS min@Tjmaxtechnology and design.This high voltage MOSFET fitsR 5.5 DS(ON)TYPSwitched applications.ID 3 AQg 32 nCFeaturesHigh speed switchingIntrinsic capacitances and Qg minimized100% Avalanche TestedApplication Switched applications

 6.1. Size:627K  ncepower
 nce3n150t.pdf

NCE3N150F NCE3N150F

NCE3N150TN-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral DescriptionThe series of Power MOSFETs use advanced V 1650 VDS min@Tjmaxtechnology and design.This high voltage MOSFET fitsR 5.5 DS(ON)TYPSwitched applications.ID 3 AQg 32 nCFeaturesHigh speed switchingIntrinsic capacitances and Qg minimized100% Avalanche TestedApplication Switched applications

 6.2. Size:619K  ncepower
 nce3n150d.pdf

NCE3N150F NCE3N150F

NCE3N150DN-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral DescriptionThe series of Power MOSFETs use advanced V 1650 VDS min@Tjmaxtechnology and design.This high voltage MOSFET fitsR 5.5 DS(ON)TYPSwitched applications.ID 3 AQg 32 nCFeaturesHigh speed switchingIntrinsic capacitances and Qg minimized100% Avalanche TestedApplication Switched applications

 6.3. Size:648K  ncepower
 nce3n150pf.pdf

NCE3N150F NCE3N150F

NCE3N150PFN-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral DescriptionThe series of Power MOSFETs use advanced V 1650 VDS min@Tjmaxtechnology and design.This high voltage MOSFET fitsR 5.5 DS(ON)TYPSwitched applications.ID 3 AQg 32 nCFeaturesHigh speed switchingIntrinsic capacitances and Qg minimized100% Avalanche TestedApplication Switched application

 6.4. Size:638K  ncepower
 nce3n150.pdf

NCE3N150F NCE3N150F

NCE3N150N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral DescriptionThe series of Power MOSFETs use advanced V 1650 VDS min@Tjmaxtechnology and design.This high voltage MOSFET fitsR 5.5 DS(ON)TYPSwitched applications.ID 3 AQg 32 nCFeaturesHigh speed switchingIntrinsic capacitances and Qg minimized100% Avalanche TestedApplication Switched applications

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top