Справочник MOSFET. NCE3N170F

 

NCE3N170F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCE3N170F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE3N170F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:625K  ncepower
 nce3n170f.pdf pdf_icon

NCE3N170F

NCE3N170FN-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral DescriptionThe series of Power MOSFETs use advanced V 1850 VDS min@Tjmaxtechnology and design.This high voltage MOSFET fitsR 6 DS(ON)TYPSwitched applications.ID 2.9 AQg 33 nCFeaturesHigh speed switchingIntrinsic capacitances and Qg minimized100% Avalanche TestedApplication Switched applications

 6.1. Size:635K  ncepower
 nce3n170d.pdf pdf_icon

NCE3N170F

NCE3N170DN-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral DescriptionThe series of Power MOSFETs use advanced V 1850 VDS min@Tjmaxtechnology and design.This high voltage MOSFET fitsR 6 DS(ON)TYPSwitched applications.ID 2.9 AQg 33 nCFeaturesHigh speed switchingIntrinsic capacitances and Qg minimized100% Avalanche TestedApplication Switched applications

 6.2. Size:643K  ncepower
 nce3n170t.pdf pdf_icon

NCE3N170F

NCE3N170TN-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral DescriptionThe series of Power MOSFETs use advanced V 1850 VDS min@Tjmaxtechnology and design.This high voltage MOSFET fitsR 6 DS(ON)TYPSwitched applications.ID 2.9 AQg 33 nCFeaturesHigh speed switchingIntrinsic capacitances and Qg minimized100% Avalanche TestedApplication Switched applications

 6.3. Size:664K  ncepower
 nce3n170pf.pdf pdf_icon

NCE3N170F

NCE3N170PFN-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral DescriptionThe series of Power MOSFETs use advanced V 1850 VDS min@Tjmaxtechnology and design.This high voltage MOSFET fitsR 6 DS(ON)TYPSwitched applications.ID 2.9 AQg 33 nCFeaturesHigh speed switchingIntrinsic capacitances and Qg minimized100% Avalanche TestedApplication Switched application

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: KQS4900 | IXTA4N80P | NTLJS4159NT1G | DMP4051LK3 | WFW40N25W | STW75N20 | FDS6892A

 

 
Back to Top

 


 
.