Справочник MOSFET. NCE40H12A

 

NCE40H12A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NCE40H12A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 114 nC
   Время нарастания (tr): 18 ns
   Выходная емкость (Cd): 562 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0037 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для NCE40H12A

 

 

NCE40H12A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:664K  ncepower
nce40h12a.pdf

NCE40H12A NCE40H12A

NCE40H12Ahttp://www.ncepower.comNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE40H12A uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V =40V,I =120ADS DR

 6.1. Size:401K  ncepower
nce40h12.pdf

NCE40H12A NCE40H12A

Pb Free ProductNCE40H12http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE40H12 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =40V,ID =120A RDS(ON)

 6.2. Size:458K  ncepower
nce40h12k.pdf

NCE40H12A NCE40H12A

Pb Free ProductNCE40H12Khttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE40H12K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =40V,ID =120A RDS(ON)

 6.3. Size:392K  ncepower
nce40h12i.pdf

NCE40H12A NCE40H12A

Pb Free ProductNCE40H12Ihttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE40H12I uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =40V,ID =120A RDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top