Справочник MOSFET. NCE40H12A

 

NCE40H12A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NCE40H12A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 114 nC
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 562 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для NCE40H12A

 

 

NCE40H12A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:664K  ncepower
 nce40h12a.pdf

NCE40H12A NCE40H12A

NCE40H12Ahttp://www.ncepower.comNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE40H12A uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V =40V,I =120ADS DR

 6.1. Size:401K  ncepower
 nce40h12.pdf

NCE40H12A NCE40H12A

Pb Free ProductNCE40H12http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE40H12 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =40V,ID =120A RDS(ON)

 6.2. Size:458K  ncepower
 nce40h12k.pdf

NCE40H12A NCE40H12A

Pb Free ProductNCE40H12Khttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE40H12K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =40V,ID =120A RDS(ON)

 6.3. Size:392K  ncepower
 nce40h12i.pdf

NCE40H12A NCE40H12A

Pb Free ProductNCE40H12Ihttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE40H12I uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =40V,ID =120A RDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top