NCE40H12A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE40H12A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 562 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для NCE40H12A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE40H12A даташит

 ..1. Size:664K  ncepower
nce40h12a.pdfpdf_icon

NCE40H12A

NCE40H12A http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE40H12A uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features V =40V,I =120A DS D R

 6.1. Size:401K  ncepower
nce40h12.pdfpdf_icon

NCE40H12A

Pb Free Product NCE40H12 http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE40H12 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =40V,ID =120A RDS(ON)

 6.2. Size:458K  ncepower
nce40h12k.pdfpdf_icon

NCE40H12A

 6.3. Size:392K  ncepower
nce40h12i.pdfpdf_icon

NCE40H12A

Pb Free Product NCE40H12I http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE40H12I uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =40V,ID =120A RDS(ON)

Другие IGBT... NCE4003, NCE4005, NCE4015S, NCE4090G, NCE4090K, NCE40H10K, NCE40H11, NCE40H11K, IRFB7545, NCE40H25LL, NCE40H30D, NCE40H32LL, NCE40NP2815G, NCE40P06J, NCE40P06S, NCE40P15Q, NCE40P20Q