NCE4435B - описание и поиск аналогов

 

NCE4435B - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NCE4435B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 217 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для NCE4435B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE4435B технические параметры

 ..1. Size:709K  ncepower
 nce4435b.pdf pdf_icon

NCE4435B

http //www.ncepower.com NCE4435B NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE4435B uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON) voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features V = -30V,I = -12A Schematic diagram DS D R

 7.1. Size:345K  ncepower
 nce4435.pdf pdf_icon

NCE4435B

Pb Free Product NCE4435 NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description The NCE4435 uses advanced trench technology to provide G excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. S General Features Schematic diagram VDS = -30V,ID = -9.1A RDS(ON)

 7.2. Size:272K  ncepower
 nce4435x.pdf pdf_icon

NCE4435B

Другие MOSFET... NCE40P06J , NCE40P06S , NCE40P15Q , NCE40P20Q , NCE40P20Q1 , NCE40P25G , NCE40P30K , NCE40P40D , IRF3205 , NCE4435X , NCE4525 , NCE4528K , NCE4555K , NCE4558K , NCE4606B , NCE5015S , NCE5020Q .

 

 
Back to Top

 


 
.