NCE4555K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE4555K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 45 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для NCE4555K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE4555K даташит

 ..1. Size:623K  ncepower
 nce4555k.pdf pdf_icon

NCE4555K

Pb Free Product NCE4555K http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE4555K uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features V =45V,I =55A DS D Schematic diagram R =9.2m @ V =10V (Typ) DS(ON) GS R =13m @ V =4.5V (Typ)

 8.1. Size:434K  ncepower
 nce4558k.pdf pdf_icon

NCE4555K

Pb Free Product NCE4558K http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE4558K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =45V,ID =58A RDS(ON)

 9.1. Size:538K  ncepower
 nce4525.pdf pdf_icon

NCE4555K

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE4525 N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE4525 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features N-channel P-channel N-Channel VDS =

 9.2. Size:627K  ncepower
 nce4528k.pdf pdf_icon

NCE4555K

NCE4528K http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE4528K uses advanced trench technology to provide excellent R and low gate charge . The complementary DS(ON) MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. Schematic diagram General Features N-Channel V =45V,I =28A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE40P20Q1, NCE40P25G, NCE40P30K, NCE40P40D, NCE4435B, NCE4435X, NCE4525, NCE4528K, IRF540N, NCE4558K, NCE4606B, NCE5015S, NCE5020Q, NCE5055K, NCE5080K, NCE50N1K2K, NCE50N1K8D