NCE6025Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE6025Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 113 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3-8L

Аналог (замена) для NCE6025Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE6025Q даташит

 ..1. Size:612K  ncepower
 nce6025q.pdf pdf_icon

NCE6025Q

NCE6025Q http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6025Q uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features V =60V,I =25A DS D R

 8.1. Size:432K  ncepower
 nce6020ak.pdf pdf_icon

NCE6025Q

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE6020AK NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6020AK uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =20A RDS(ON)

 8.2. Size:335K  ncepower
 nce6020ai.pdf pdf_icon

NCE6025Q

 8.3. Size:673K  ncepower
 nce6020al.pdf pdf_icon

NCE6025Q

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE6005AN, NCE6007S, NCE6009XS, NCE6010J, NCE6012CS, NCE6020A, NCE6020AL, NCE6020AQ, AO3407, NCE6030K, NCE603583, NCE6042AG, NCE6045XAG, NCE6045XG, NCE6058, NCE6058AK, NCE6058K