Справочник MOSFET. NCE603583

 

NCE603583 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NCE603583
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 38.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 112 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO-252-4L

 Аналог (замена) для NCE603583

 

 

NCE603583 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:975K  ncepower
nce603583.pdf

NCE603583
NCE603583

NCE603583http://www.ncepower.comNCE N&P-Channel complementary Power MOSFETDescriptionThe NCE603583 uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General FeaturesN channelSchematic diagram V =60V,I =40ADS DR

 8.1. Size:455K  ncepower
nce6030k.pdf

NCE603583
NCE603583

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE6030KNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6030K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =30A RDS(ON)

 8.2. Size:403K  ncepower
nce603s.pdf

NCE603583
NCE603583

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE603SN and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE603S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. Schematic diagram General Features N-Channel VDS = 6

 8.3. Size:930K  cn vbsemi
nce603s.pdf

NCE603583
NCE603583

NCE603Swww.VBsemi.twN- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.028 at VGS = 10 V 5.3 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 60 6 nC0.031 at VGS = 4.5 V 4.7 100 % Rg and UIS Tested0.050 at VGS = - 10 V - 4.9APPLICATIONSP-Channel - 60 8 nC0.060 at VGS =

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top