Справочник MOSFET. NCE6045XAG

 

NCE6045XAG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NCE6045XAG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 181 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0092 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L

 Аналог (замена) для NCE6045XAG

 

 

NCE6045XAG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:685K  ncepower
 nce6045xag.pdf

NCE6045XAG NCE6045XAG

NCE6045XAGhttp://www.ncepower.comNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral FeaturesDescription V = 60V,I =45ADS DThe NCE6045XAG uses advanced trench technology andR

 6.1. Size:653K  ncepower
 nce6045xg.pdf

NCE6045XAG NCE6045XAG

http://www.ncepower.comNCE6045XGNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE6045XG uses advanced trench technology andGeneral Featuresdesign to provide excellent R with low gate charge. It can V =60V,I =45ADS(ON) DS Dbe used in a wide variety of applications. R =7.4m (typical) @ V =10VDS(ON) GSR =11.4m (typical) @ V =4.5VApplication DS(ON) GS

 7.1. Size:383K  ncepower
 nce6045g.pdf

NCE6045XAG NCE6045XAG

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE6045GNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6045G uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 60V,ID =45A RDS(ON)

 8.1. Size:636K  ncepower
 nce6042ag.pdf

NCE6045XAG NCE6045XAG

NCE6042AGhttp://www.ncepower.comNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE6042AG uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V =60V,I =42A Schematic diagramDS DR

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top