NCE60P17AQ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE60P17AQ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90.6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3-8L

Аналог (замена) для NCE60P17AQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE60P17AQ даташит

 ..1. Size:711K  ncepower
 nce60p17aq.pdf pdf_icon

NCE60P17AQ

NCE60P17AQ http //www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features Description V = -60V,I = -17A DS D The NCE60P17AQ uses advanced trench technology to provide R

 7.1. Size:410K  ncepower
 nce60p16aq.pdf pdf_icon

NCE60P17AQ

http //www.ncepower.com NCE60P16AQ NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE60P16AQ uses advanced trench technology to provide General Features excellent R , This device is suitable for use as a load switch DS(ON) V = -60V,I = -16A DS D or power management. R

 7.2. Size:418K  ncepower
 nce60p18ak.pdf pdf_icon

NCE60P17AQ

 7.3. Size:624K  ncepower
 nce60p18aq.pdf pdf_icon

NCE60P17AQ

NCE60P18AQ http //www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features Description V = -60V,I = -18A DS D The NCE60P18AQ uses advanced trench technology to provide R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE60P05N, NCE60P05R, NCE60P07AS, NCE60P08AS, NCE60P09AS, NCE60P09K, NCE60P12AS, NCE60P16AQ, 2N60, NCE60P18AQ, NCE60P25, NCE60P28AK, NCE60P40F, NCE60P45AK, NCE60P50G, NCE60P65K, NCE60P70D