NCE60P18AQ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE60P18AQ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 124 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3-8L

Аналог (замена) для NCE60P18AQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE60P18AQ даташит

 ..1. Size:624K  ncepower
 nce60p18aq.pdf pdf_icon

NCE60P18AQ

NCE60P18AQ http //www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features Description V = -60V,I = -18A DS D The NCE60P18AQ uses advanced trench technology to provide R

 5.1. Size:418K  ncepower
 nce60p18ak.pdf pdf_icon

NCE60P18AQ

 7.1. Size:410K  ncepower
 nce60p16aq.pdf pdf_icon

NCE60P18AQ

http //www.ncepower.com NCE60P16AQ NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE60P16AQ uses advanced trench technology to provide General Features excellent R , This device is suitable for use as a load switch DS(ON) V = -60V,I = -16A DS D or power management. R

 7.2. Size:424K  ncepower
 nce60p10k.pdf pdf_icon

NCE60P18AQ

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE60P10K NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE60P10K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for use as a load switch or in PWM applications. Schematic diagram General Features VDS =-60V,ID =-10A RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE60P05R, NCE60P07AS, NCE60P08AS, NCE60P09AS, NCE60P09K, NCE60P12AS, NCE60P16AQ, NCE60P17AQ, 8N60, NCE60P25, NCE60P28AK, NCE60P40F, NCE60P45AK, NCE60P50G, NCE60P65K, NCE60P70D, NCE60P70G