NCE60P82AD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE60P82AD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 82 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 356 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для NCE60P82AD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE60P82AD даташит

 ..1. Size:611K  ncepower
 nce60p82ad.pdf pdf_icon

NCE60P82AD

NCE60P82AD http //www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE60P82AD uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge .This DS(ON) device is well suited for high current load applications. General Features V =-60V,I =-82A DS D R

 5.1. Size:665K  ncepower
 nce60p82af.pdf pdf_icon

NCE60P82AD

NCE60P82AF http //www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features V =-60V,I =-41A Description DS D The NCE60P82AF uses advanced trench technology and design R

 5.2. Size:718K  ncepower
 nce60p82a.pdf pdf_icon

NCE60P82AD

 5.3. Size:624K  ncepower
 nce60p82ak.pdf pdf_icon

NCE60P82AD

NCE60P82AK http //www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE60P82AK uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge .This DS(ON) device is well suited for high current load applications. General Features V =-60V,I =-82A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE60P28AK, NCE60P40F, NCE60P45AK, NCE60P50G, NCE60P65K, NCE60P70D, NCE60P70G, NCE60P82A, IRF830, NCE60P82AK, NCE60PD05S, NCE60T2K2I, NCE60T2K2K, NCE6525Q, NCE65N180, NCE65N180D, NCE65N180F