FQA9N90CF109 - описание и поиск аналогов

 

FQA9N90CF109. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQA9N90CF109

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO3PN

Аналог (замена) для FQA9N90CF109

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA9N90CF109 даташит

 6.1. Size:799K  fairchild semi
 fqa9n90c.pdf pdf_icon

FQA9N90CF109

July 2007 QFET FQA9N90C 900V N-Channel MOSFET Features Description 9A, 900V, RDS(on) = 1.4 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 45 nC) transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 14pF) This advanced technology has been especially tailored to Fa

 6.2. Size:804K  fairchild semi
 fqa9n90c f109.pdf pdf_icon

FQA9N90CF109

 6.3. Size:2910K  onsemi
 fqa9n90c f109.pdf pdf_icon

FQA9N90CF109

April 2014 FQA9N90C_F109 N-Channel QFET MOSFET 900 V, 9 A, 1.4 Features Description 9 A, 900 V, RDS(on) = 1.4 (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 4.5 A This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor s proprietary planar Low Gate Charge (Typ. 45 nC) stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET Low Crss . 14 pF) technology

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQA7N80CF109 , SDF04N60 , FQA8N100C , FQA8N90CF109 , FQA90N08 , FQA90N15 , FQA90N15F109 , FQA9N90F109 , IRFZ48N , FQA9P25 , FQAF11N90C , FQAF13N80 , SDD06N70 , FQAF16N50 , FQB11P06 , FQB12P20 , FQB19N20 .

History: SDD06N70 | PSMN7R5-30YLD

 

 

 

 

↑ Back to Top
.