FQA9N90C_F109 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FQA9N90C_F109
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 280 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.4 Ohm
Тип корпуса: TO3PN
Аналог (замена) для FQA9N90C_F109
FQA9N90C_F109 Datasheet (PDF)
1.1. fqa9n90c f109.pdf 
Size:804K _fairchild_semi
July 2007 QFET FQA9N90C_F109 900V N-Channel MOSFET Features Description 9A, 900V, RDS(on) = 1.4? @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 45 nC) transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 14pF) This advanced technology has been especially tailored to Fast switching
3.1. fqa9n90 f109.pdf Size:1054K _fairchild_semi
April 2013 FQA9N90_F109 N-Channel QFET® MOSFET 900 V, 8.6 A, 1.3 Ω Features Description • 8.6 A, 900 V, RDS(on) = 1.3 Ω (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 4.3 A This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary planar • Low Gate Charge (Typ. 55 nC) stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET • Low Crss (Typ. 25 pF) techn
Другие MOSFET... FQA7N80C_F109 , SDF04N60 , FQA8N100C , FQA8N90C_F109 , FQA90N08 , FQA90N15 , FQA90N15_F109 , FQA9N90_F109 , 2SK163 , FQA9P25 , FQAF11N90C , FQAF13N80 , SDD06N70 , FQAF16N50 , FQB11P06 , FQB12P20 , FQB19N20 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: IRFR13N20DPBF | IRFR13N15DPBF | IRFR130ATM | IRFR12N25DPBF | IRFR120ZPBF | IRFR120PBF | IRFR120NPBF | IRFR120ATM | IRFR1205PBF | IRFR110PBF | IRFR1018EPBF | IRFR1010ZPBF | IRFR024PBF | IRFR024NPBF | IRFR020PBF |