NCE6602N. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: NCE6602N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 1.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6L
Аналог (замена) для NCE6602N
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NCE6602N даташит
nce6602n.pdf
http //www.ncepower.com NCE6602N NCE N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6602N uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features N-channel P-channel N-Channel Schematic diagram VDS = 30V,ID = 3.5A RDS(ON
nce6602.pdf
Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE6602 NCE N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6602 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features N-channel P-channel N-Channel Schematic diagram VDS = 30V,I
nce6602.pdf
NCE6602 www.VBsemi.tw N- and P-Channel 2 V (D-S) MOSFET 0 FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.024 at VGS = 10 V 5.5 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 20 0.036 at VGS = 4.5 V 4.2 100 % Rg Tested 0.069 at VGS = - 10 V - 3.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC P-Channel - 20 0.083 at VG
Другие IGBT... NCE65NF190LL, NCE65NF190T, NCE65NF190V, NCE65T130T, NCE65T180V, NCE65T1K9I, NCE65T1K9K, NCE65TF078T, AO3400A, NCE6890D, NCE70H10F, NCE70N100I, NCE70N1K1D, NCE70N1K1F, NCE70N1K1I, NCE70N1K1K, NCE70N1K1R
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
2sc1815 replacement | 2sc2383 | c3198 transistor | irfb3607pbf datasheet | 60n60 | 2n5485 equivalent | 2sa1941 | 2sc485



