NCE6602N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NCE6602N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 10 nC
Время нарастания (tr): 1.5 ns
Выходная емкость (Cd): 38 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.095 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6L
NCE6602N Datasheet (PDF)
nce6602n.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
http://www.ncepower.com NCE6602NNCE N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6602N uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features N-channel P-channel N-Channel Schematic diagram VDS = 30V,ID = 3.5A RDS(ON
nce6602.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE6602NCE N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6602 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features N-channel P-channel N-Channel Schematic diagram VDS = 30V,I
nce6602.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
NCE6602www.VBsemi.twN- and P-Channel 2 V (D-S) MOSFET0 FEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.024 at VGS = 10 V 5.5 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 200.036 at VGS = 4.5 V 4.2 100 % Rg Tested0.069 at VGS = - 10 V - 3.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECP-Channel - 200.083 at VG
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
![NCE6602N](https://alltransistors.com/images/us.png)
![NCE6602N](https://alltransistors.com/images/es.png)
![NCE6602N](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C