NCE70N900R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE70N900R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

Аналог (замена) для NCE70N900R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE70N900R даташит

 ..1. Size:842K  ncepower
 nce70n900r.pdf pdf_icon

NCE70N900R

NCE70N900R N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 750 V DS min@Tjmax junction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 820 m DS(ON)TYP. with low gate charge. This super junction MOSFET fits the I 5 A D industry s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC Qg 9.7 nC power conversion, and indust

 5.1. Size:813K  ncepower
 nce70n900f.pdf pdf_icon

NCE70N900R

NCE70N900F N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 750 V DS min@Tjmax junction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 820 m DS(ON)TYP. with low gate charge. This super junction MOSFET fits the I 5 A D industry s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC Qg 9.7 nC power conversion, and indust

 5.2. Size:826K  ncepower
 nce70n900i.pdf pdf_icon

NCE70N900R

NCE70N900I N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 750 V DS min@Tjmax junction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 820 m DS(ON)TYP. with low gate charge. This super junction MOSFET fits the I 5 A D industry s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC Qg 11 nC power conversion, and industr

 5.3. Size:800K  ncepower
 nce70n900k.pdf pdf_icon

NCE70N900R

NCE70N900K N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 750 V DS min@Tjmax junction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 820 m DS(ON)TYP. with low gate charge. This super junction MOSFET fits the I 5 A D industry s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC Qg 9.7 nC power conversion, and indust

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE70N380R, NCE70N600, NCE70N600F, NCE70N600K, NCE70N900, NCE70N900F, NCE70N900I, NCE70N900K, IRFZ44, NCE70T1K2F, NCE70T260I, NCE70T260K, NCE70T260T, NCE70T540, NCE70T540D, NCE70T540F, NCE70T680I