NCE70T680I. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE70T680I

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.76 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для NCE70T680I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE70T680I даташит

 ..1. Size:491K  ncepower
 nce70t680i.pdf pdf_icon

NCE70T680I

NCE70T680I NCE70T680K N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 700 V DS junction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 680 m DS(ON)TYP with low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 7 A industry s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industri

 ..2. Size:491K  ncepower
 nce70t680i nce70t680k.pdf pdf_icon

NCE70T680I

NCE70T680I NCE70T680K N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 700 V DS junction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 680 m DS(ON)TYP with low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 7 A industry s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industri

 5.1. Size:610K  ncepower
 nce70t680 nce70t680f.pdf pdf_icon

NCE70T680I

NCE70T680D,NCE70T680,NCE70T680F N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 700 V DS junction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 680 m DS(ON)TYP with low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 7 A industry s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and

 5.2. Size:491K  ncepower
 nce70t680k.pdf pdf_icon

NCE70T680I

NCE70T680I NCE70T680K N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 700 V DS junction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 680 m DS(ON)TYP with low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 7 A industry s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industri

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE70N900R, NCE70T1K2F, NCE70T260I, NCE70T260K, NCE70T260T, NCE70T540, NCE70T540D, NCE70T540F, IRFB4227, NCE70T680K, NCE70T900R, NCE72R60D, NCE75H21, NCE75H21D, NCE75H21T, NCE75H25, NCE75H25T