NCE70T900R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE70T900R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

Аналог (замена) для NCE70T900R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE70T900R даташит

 ..1. Size:404K  ncepower
 nce70t900r.pdf pdf_icon

NCE70T900R

NCE70T900R N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 700 V DS junction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 820 m DS(ON)TYP with low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 5 A industry s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power appl

 5.1. Size:707K  ncepower
 nce70t900 nce70t900f.pdf pdf_icon

NCE70T900R

NCE70T900D NCE70T900, NCE70T900F N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super VDS 700 V junction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 820 m DS(ON)TYP with low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 5 A industry s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and

 5.2. Size:439K  ncepower
 nce70t900i.pdf pdf_icon

NCE70T900R

NCE70T900I NCE70T900K N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 700 V DS junction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 820 m DS(ON)TYP with low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 5 A industry s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industri

 5.3. Size:707K  ncepower
 nce70t900f.pdf pdf_icon

NCE70T900R

NCE70T900D NCE70T900, NCE70T900F N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super VDS 700 V junction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 820 m DS(ON)TYP with low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 5 A industry s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE70T260I, NCE70T260K, NCE70T260T, NCE70T540, NCE70T540D, NCE70T540F, NCE70T680I, NCE70T680K, 10N60, NCE72R60D, NCE75H21, NCE75H21D, NCE75H21T, NCE75H25, NCE75H25T, NCE75H35TC, NCE8290