NCE82H160D - аналоги и даташиты транзистора

 

NCE82H160D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NCE82H160D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 285 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 82 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 537 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для NCE82H160D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE82H160D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:304K  ncepower
 nce82h160d.pdf pdf_icon

NCE82H160D

NCE82H160Dhttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE82H160D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 82V,ID =160A RDS(ON)

 5.1. Size:318K  ncepower
 nce82h160.pdf pdf_icon

NCE82H160D

http://www.ncepower.com NCE82H160NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE82H160 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 82V,ID =160A RDS(ON)

 7.1. Size:627K  ncepower
 nce82h140.pdf pdf_icon

NCE82H160D

http://www.ncepower.comNCE82H140NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE82H140 uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V = 82V,I =140ADS DR

 7.2. Size:381K  ncepower
 nce82h140ll.pdf pdf_icon

NCE82H160D

NCE82H140LLhttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description General Features The NCE82H140LL uses advanced trench technology and VDS = 82V,ID =140A design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NCE75H35TC , NCE8290 , NCE8290B , NCE8295AG , NCE8295AI , NCE82H140 , NCE82H140LL , NCE82H160 , IRF4905 , NCE85H21TC , NCE85H25 , NCE85H25T , NCE8736 , NCE9435A , NCEA0130AG , NCEA01P13K , NCEA02P20K .

History: 2SK2052-R | YTF840 | UTT18P10G-TA3-T | SVF7N60CF | SRT10N130H | APM2301AC | SVF6N70F

 

 
Back to Top

 


 
.