NCE8736. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE8736

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 429 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для NCE8736

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE8736 даташит

 ..1. Size:446K  ncepower
 nce8736.pdf pdf_icon

NCE8736

NCE8736 http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE8736 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =21A Schematic diagram RDS(ON)

Другие IGBT... NCE8295AI, NCE82H140, NCE82H140LL, NCE82H160, NCE82H160D, NCE85H21TC, NCE85H25, NCE85H25T, IRFP260, NCE9435A, NCEA0130AG, NCEA01P13K, NCEA02P20K, NCEA15P30K, NCEA2301, NCEA4080K, NCEA40P25G