NCEA2301. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCEA2301

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для NCEA2301

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCEA2301 даташит

 ..1. Size:598K  ncepower
 ncea2301.pdf pdf_icon

NCEA2301

http //www.ncepower.com NCEA2301 NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCEA2301 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON) voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features V = -20V,I = -3A DS D R

 7.1. Size:623K  ncepower
 ncea2309.pdf pdf_icon

NCEA2301

Другие IGBT... NCE85H25, NCE85H25T, NCE8736, NCE9435A, NCEA0130AG, NCEA01P13K, NCEA02P20K, NCEA15P30K, AON7410, NCEA4080K, NCEA40P25G, NCEA6042AG, NCEA6050KA, NCEA6058K, NCEA6080K, NCEA60ND08S, NCEA60ND18G