NCEA2301 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NCEA2301
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
NCEA2301 Datasheet (PDF)
ncea2301.pdf

http://www.ncepower.comNCEA2301NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCEA2301 uses advanced trench technology to provideexcellent R , low gate charge and operation with gateDS(ON)voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as aload switch or in PWM applications.General Features V = -20V,I = -3ADS DR
ncea2309.pdf

http://www.ncepower.comNCEA2309NCE Automotive P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCEA2309 uses advanced trench technology and designto provide excellent R with low gate charge .This device isDS(ON)well suited for use as a load switch or in PWM applications.General Features V =-60V,I =-2.3ADS DR
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: STI90N4F3 | IPP60R280P6 | 2SK2531 | WMJ36N65F2 | UPA1770G | SW1N60C | STB18NM80
History: STI90N4F3 | IPP60R280P6 | 2SK2531 | WMJ36N65F2 | UPA1770G | SW1N60C | STB18NM80



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sd427 | mje15032 equivalent | 2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement | a872 transistor | b1560 | 2sa1695