NCEA2301 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: NCEA2301
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для NCEA2301
NCEA2301 Datasheet (PDF)
ncea2301.pdf

http://www.ncepower.comNCEA2301NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCEA2301 uses advanced trench technology to provideexcellent R , low gate charge and operation with gateDS(ON)voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as aload switch or in PWM applications.General Features V = -20V,I = -3ADS DR
ncea2309.pdf

http://www.ncepower.comNCEA2309NCE Automotive P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCEA2309 uses advanced trench technology and designto provide excellent R with low gate charge .This device isDS(ON)well suited for use as a load switch or in PWM applications.General Features V =-60V,I =-2.3ADS DR
Другие MOSFET... NCE85H25 , NCE85H25T , NCE8736 , NCE9435A , NCEA0130AG , NCEA01P13K , NCEA02P20K , NCEA15P30K , RFP50N06 , NCEA4080K , NCEA40P25G , NCEA6042AG , NCEA6050KA , NCEA6058K , NCEA6080K , NCEA60ND08S , NCEA60ND18G .
History: AP40P03GH | UTT80N10



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sd427 | mje15032 equivalent | 2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement | a872 transistor | b1560 | 2sa1695