NCEA6058K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCEA6058K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 64 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 181 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для NCEA6058K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCEA6058K даташит

 ..1. Size:900K  ncepower
 ncea6058k.pdf pdf_icon

NCEA6058K

http //www.ncepower.com NCEA6058K NCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCEA6058K uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features V =60V,I =64A DS D R

 7.1. Size:1045K  ncepower
 ncea6050ka.pdf pdf_icon

NCEA6058K

 8.1. Size:811K  ncepower
 ncea60nd08s.pdf pdf_icon

NCEA6058K

NCEA60ND08S http //www.ncepower.com NCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features V = 60V,I =8A DS D Description R

 8.2. Size:724K  ncepower
 ncea60nd18g.pdf pdf_icon

NCEA6058K

NCEA60ND18G http //www.ncepower.com NCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features V =60V,I =20A DS D Description R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCEA01P13K, NCEA02P20K, NCEA15P30K, NCEA2301, NCEA4080K, NCEA40P25G, NCEA6042AG, NCEA6050KA, AON6380, NCEA6080K, NCEA60ND08S, NCEA60ND18G, NCEA60P82AK, NCEA65NF036T, NCEA65NF036T4, NCEA85H25, NCEAP0135AK