Справочник MOSFET. FQB1P50

 

FQB1P50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FQB1P50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 63 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 10.5 Ohm

Тип корпуса: TO263_D2PAK

Аналог (замена) для FQB1P50

 

 

FQB1P50 Datasheet (PDF)

1.1. fqb1p50 fqi1p50.pdf Size:934K _fairchild_semi

FQB1P50
FQB1P50

October 2008 QFET FQB1P50 / FQI1P50 500V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -1.5A, -500V, RDS(on) = 10.5? @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 11 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.0 pF) This advanced technology is especially tailored to min

Другие MOSFET... FQB11P06 , FQB12P20 , FQB19N20 , SDD05N70 , FQB19N20C , SDD05N04 , FQB19N20L , SDD04N65 , 2SK1058 , FQB22P10 , FQB22P10TM_F085 , FQB25N33TM_F085 , FQB27P06 , FQB30N06L , FQB33N10 , SDD04N60 , FQB33N10L .

Back to Top

 


FQB1P50
  FQB1P50
  FQB1P50
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: IRFR13N20DPBF | IRFR13N15DPBF | IRFR130ATM | IRFR12N25DPBF | IRFR120ZPBF | IRFR120PBF | IRFR120NPBF | IRFR120ATM | IRFR1205PBF | IRFR110PBF | IRFR1018EPBF | IRFR1010ZPBF | IRFR024PBF | IRFR024NPBF | IRFR020PBF |