Справочник MOSFET. FQB1P50

 

FQB1P50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQB1P50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10.5 Ohm
   Тип корпуса: TO263 D2PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB1P50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:934K  fairchild semi
 fqb1p50tm fqb1p50 fqi1p50 fqi1p50tu.pdf pdf_icon

FQB1P50

October 2008QFETFQB1P50 / FQI1P50500V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -1.5A, -500V, RDS(on) = 10.5 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 11 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.0 pF)This advanced technology is especially t

 ..2. Size:927K  onsemi
 fqb1p50.pdf pdf_icon

FQB1P50

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... FQB11P06 , FQB12P20 , FQB19N20 , SDD05N70 , FQB19N20C , SDD05N04 , FQB19N20L , SDD04N65 , 8205A , FQB22P10 , FQB22P10TMF085 , FQB25N33TMF085 , FQB27P06 , FQB30N06L , FQB33N10 , SDD04N60 , FQB33N10L .

History: STS3P6F6 | HY3210PS | FQB3N60CTM | STP95N2LH5 | STS4NF100 | STP9NK50Z

 

 
Back to Top

 


 
.