Справочник MOSFET. NCEAP60T15G

 

NCEAP60T15G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NCEAP60T15G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 70 nC
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 965 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0031 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L

 Аналог (замена) для NCEAP60T15G

 

 

NCEAP60T15G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:713K  ncepower
nceap60t15g.pdf

NCEAP60T15G
NCEAP60T15G

http://www.ncepower.com NCEAP60T15GNCE Automotive N-Channel Super Trench Power MOSFETDescription General FeaturesThe NCEAP60T15G uses Super Trench technology that is V =60V,I =196A (Silicon Limited)DS Duniquely optimized to provide the most efficient high frequency R

 5.1. Size:754K  ncepower
nceap60t12ak.pdf

NCEAP60T15G
NCEAP60T15G

NCEAP60T12AKhttp://www.ncepower.comNCE Automotive N-Channel Super Trench Power MOSFETDescriptionThe NCEAP60T12AK uses Super Trench technology that isGeneral Featuresuniquely optimized to provide the most efficient high frequency V =60V,I =150ADS Dswitching performance. Both conduction and switching power R

 5.2. Size:675K  ncepower
nceap60t12ad.pdf

NCEAP60T15G
NCEAP60T15G

NCEAP60T12ADhttp://www.ncepower.comNCE Automotive N-Channel Super Trench Power MOSFETDescriptionThe NCEAP60T12AD uses Super Trench technology that isGeneral Featuresuniquely optimized to provide the most efficient high frequency V =60V,I =150ADS Dswitching performance. Both conduction and switching power R

 6.1. Size:723K  ncepower
nceap60t20d.pdf

NCEAP60T15G
NCEAP60T15G

http://www.ncepower.com NCEAP60T20DNCE Automotive N-Channel Super Trench Power MOSFETDescriptionGeneral FeaturesThe NCEAP60T20D uses Super Trench technology that is uniquely V =60V,I =250ADS Doptimized to provide the most efficient high frequency switchingR =1.8m (typical) @ V =10VDS(ON) GSperformance. Both conduction and switching power losses are Excellent gate c

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top