Справочник MOSFET. FDMC8321LDC

 

FDMC8321LDC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FDMC8321LDC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 56 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 108 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 43 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0025 Ohm

Тип корпуса: PQFN3.3x3.3

Аналог (замена) для FDMC8321LDC

 

 

FDMC8321LDC Datasheet (PDF)

1.1. fdmc8321ldc.pdf Size:561K _fairchild_semi

FDMC8321LDC
FDMC8321LDC

December 2014 FDMC8321LDC N-Channel Power Trench® MOSFET 40 V, 108 A, 2.5 mΩ Features General Description Dual CoolTM Top Side Cooling PQFN package This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process. Max rDS(on) = 2.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 27 A Advancements in both silicon and Dual CoolTM package Max rDS(on) = 4.1 mΩ at VGS = 4.

1.2. fdmc8321l.pdf Size:263K _fairchild_semi

FDMC8321LDC
FDMC8321LDC

February 2013 FDMC8321L N-Channel Power Trench® MOSFET 40 V, 49 A, 2.5 mΩ Features General Description Max rDS(on) = 2.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 22 A This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node Max rDS(on) = 4.1 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 18 A ringing of DC/DC converters using either synchronous or Advanced

 3.1. fdmc8327l.pdf Size:290K _fairchild_semi

FDMC8321LDC
FDMC8321LDC

October 2013 FDMC8327L N-Channel PowerTrench® MOSFET 40 V, 14 A, 9.7 mΩ Features General Description Max rDS(on) = 9.7 mΩ at VGS = 10 V, ID = 12 A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench® process that has Max rDS(on) = 12.5 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 10 A been especially tailored to minimize the on-state resistance and Low Pro

Другие MOSFET... FCPF2250N80Z , FQB7P20 , FQB7P20TM_F085 , FQB8N60C , FCH072N60F_F085 , FQB8P10 , FQB9N50C , FQD10N20C , 2N4416 , FQD10N20L , FDPF041N06BL1 , FQD11P06 , FQD12N20 , FQP13N50C , FQD12N20L , FQD5N50C , FQD12N20LTM_F085 .

 

 
Back to Top