Справочник MOSFET. MRF166W

 

MRF166W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MRF166W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 175 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 40 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 200 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.667 Ohm
   Тип корпуса: CASE412-01
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MRF166W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:134K  motorola
mrf166w.pdfpdf_icon

MRF166W

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF166W/DThe RF MOSFET LinePower Field Effect TransistorMRF166WNChannel EnhancementMode MOSFETDesigned primarily for wideband largesignal output and driver stages to500 MHz. PushPull Configuration Reduces Even Numbered Harmonics Typical Performance at 400 MHz, 28 VdcOutput Power = 40 Watts 40 W,

 0.1. Size:134K  motorola
mrf166wr.pdfpdf_icon

MRF166W

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF166W/DThe RF MOSFET LinePower Field Effect TransistorMRF166WNChannel EnhancementMode MOSFETDesigned primarily for wideband largesignal output and driver stages to500 MHz. PushPull Configuration Reduces Even Numbered Harmonics Typical Performance at 400 MHz, 28 VdcOutput Power = 40 Watts 40 W,

 8.1. Size:111K  motorola
mrf166c.pdfpdf_icon

MRF166W

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF166C/DThe RF MOSFET LineRF PowerMRF166CField Effect TransistorsNChannel Enhancement Mode MOSFETsDesigned primarily for wideband largesignal output and driver from 30500MHz. Low Crss 4.5 pF @ VDS = 28 V20 W, 500 MHzMOSFET MRF166C Typical Performance at 400 MHz, 28 VdcBROADBANDOutpu

 8.2. Size:154K  motorola
mrf166 mrf166c.pdfpdf_icon

MRF166W

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF166/DThe RF MOSFET LineRF PowerMRF166Field Effect TransistorsMRF166CNChannel Enhancement Mode MOSFETsDesigned primarily for wideband largesignal output and driver from 30500MHz. Low Crss 4.5 pF @ VDS = 28 V20 W, 500 MHzMOSFET MRF166C Typical Performance at 400 MHz, 28 VdcBROADBAND

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AO4803A | STP5NK60Z

 

 
Back to Top

 


 
.