MRF166W. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MRF166W

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 175 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 65 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 40 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 200 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.667 Ohm

Тип корпуса: CASE412-01

Аналог (замена) для MRF166W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MRF166W даташит

 ..1. Size:134K  motorola
mrf166w.pdfpdf_icon

MRF166W

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF166W/D The RF MOSFET Line Power Field Effect Transistor MRF166W N Channel Enhancement Mode MOSFET Designed primarily for wideband large signal output and driver stages to 500 MHz. Push Pull Configuration Reduces Even Numbered Harmonics Typical Performance at 400 MHz, 28 Vdc Output Power = 40 Watts 40 W,

 0.1. Size:134K  motorola
mrf166wr.pdfpdf_icon

MRF166W

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF166W/D The RF MOSFET Line Power Field Effect Transistor MRF166W N Channel Enhancement Mode MOSFET Designed primarily for wideband large signal output and driver stages to 500 MHz. Push Pull Configuration Reduces Even Numbered Harmonics Typical Performance at 400 MHz, 28 Vdc Output Power = 40 Watts 40 W,

 8.1. Size:111K  motorola
mrf166c.pdfpdf_icon

MRF166W

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF166C/D The RF MOSFET Line RF Power MRF166C Field Effect Transistors N Channel Enhancement Mode MOSFETs Designed primarily for wideband large signal output and driver from 30 500 MHz. Low Crss 4.5 pF @ VDS = 28 V 20 W, 500 MHz MOSFET MRF166C Typical Performance at 400 MHz, 28 Vdc BROADBAND Outpu

 8.2. Size:154K  motorola
mrf166 mrf166c.pdfpdf_icon

MRF166W

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF166/D The RF MOSFET Line RF Power MRF166 Field Effect Transistors MRF166C N Channel Enhancement Mode MOSFETs Designed primarily for wideband large signal output and driver from 30 500 MHz. Low Crss 4.5 pF @ VDS = 28 V 20 W, 500 MHz MOSFET MRF166C Typical Performance at 400 MHz, 28 Vdc BROADBAND

Другие IGBT... MRF156, MRF156R, MRF157, MRF158, MRF160, MRF164W, MRF166, MRF166C, IRF1010E, MRF171, MRF173, MRF173CQ, MRF174, MRF175GU, MRF175GV, MRF175LU, MRF175LV