MRF166W. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MRF166W
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 175 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 65 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 40 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 200 °C
Электрические характеристики
Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.667 Ohm
Тип корпуса: CASE412-01
Аналог (замена) для MRF166W
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
MRF166W даташит
mrf166w.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF166W/D The RF MOSFET Line Power Field Effect Transistor MRF166W N Channel Enhancement Mode MOSFET Designed primarily for wideband large signal output and driver stages to 500 MHz. Push Pull Configuration Reduces Even Numbered Harmonics Typical Performance at 400 MHz, 28 Vdc Output Power = 40 Watts 40 W,
mrf166wr.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF166W/D The RF MOSFET Line Power Field Effect Transistor MRF166W N Channel Enhancement Mode MOSFET Designed primarily for wideband large signal output and driver stages to 500 MHz. Push Pull Configuration Reduces Even Numbered Harmonics Typical Performance at 400 MHz, 28 Vdc Output Power = 40 Watts 40 W,
mrf166c.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF166C/D The RF MOSFET Line RF Power MRF166C Field Effect Transistors N Channel Enhancement Mode MOSFETs Designed primarily for wideband large signal output and driver from 30 500 MHz. Low Crss 4.5 pF @ VDS = 28 V 20 W, 500 MHz MOSFET MRF166C Typical Performance at 400 MHz, 28 Vdc BROADBAND Outpu
mrf166 mrf166c.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF166/D The RF MOSFET Line RF Power MRF166 Field Effect Transistors MRF166C N Channel Enhancement Mode MOSFETs Designed primarily for wideband large signal output and driver from 30 500 MHz. Low Crss 4.5 pF @ VDS = 28 V 20 W, 500 MHz MOSFET MRF166C Typical Performance at 400 MHz, 28 Vdc BROADBAND
Другие IGBT... MRF156, MRF156R, MRF157, MRF158, MRF160, MRF164W, MRF166, MRF166C, IRF1010E, MRF171, MRF173, MRF173CQ, MRF174, MRF175GU, MRF175GV, MRF175LU, MRF175LV
History: APT50M60JN | FQD4N20TF | UTT15P06
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
2sd315 | a1013 | 2sb554 | 2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet | ao4407a







