Справочник MOSFET. BR10N60

 

BR10N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BR10N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 69 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 166 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.73 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для BR10N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BR10N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1062K  blue-rocket-elect
 br10n60.pdf pdf_icon

BR10N60

BR10N60 Rev.C Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency

Другие MOSFET... MRF184S , MRF275G , MRF5003 , MRF5007 , MRF5007R1 , MRF5015 , MRF5035 , 2N7002K1 , 2N60 , BR20N50 , BR2N7002AK2 , BR2N7002LK2 , BR40N20 , BR4N70 , BR50N03 , BR6N70 , BR7N65 .

History: VBA5325 | TSM7401CS | AM7304N | NCEP6060GU | DE375-102N10A | UTT40P04 | SPP15N65C3

 

 
Back to Top

 


 
.