BR10N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BR10N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 69 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 166 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.73 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для BR10N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BR10N60 даташит

 ..1. Size:1062K  blue-rocket-elect
 br10n60.pdf pdf_icon

BR10N60

BR10N60 Rev.C Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency

Другие IGBT... MRF184S, MRF275G, MRF5003, MRF5007, MRF5007R1, MRF5015, MRF5035, 2N7002K1, 20N50, BR20N50, BR2N7002AK2, BR2N7002LK2, BR40N20, BR4N70, BR50N03, BR6N70, BR7N65