Справочник MOSFET. BR4N70

 

BR4N70 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BR4N70
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 106 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для BR4N70

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BR4N70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:963K  blue-rocket-elect
 br4n70.pdf pdf_icon

BR4N70

BR4N70 Rev. F Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features ,Low thermal resistance, fast switching. / Applications For Electronic transformer, Switch mode power supply. / Eq

Другие MOSFET... MRF5015 , MRF5035 , 2N7002K1 , BR10N60 , BR20N50 , BR2N7002AK2 , BR2N7002LK2 , BR40N20 , IRF830 , BR50N03 , BR6N70 , BR7N65 , BRA10N65 , BRA7N65 , BRB100N03 , BRB10N65 , BRB13N50 .

History: CEM2539A | BSC014N04LSI | FDS8874 | S85N042RP

 

 
Back to Top

 


 
.