BR4N70. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BR4N70

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 106 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 17.4 nC

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для BR4N70

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BR4N70 даташит

 ..1. Size:963K  blue-rocket-elect
 br4n70.pdf pdf_icon

BR4N70

BR4N70 Rev. F Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features , Low thermal resistance, fast switching. / Applications For Electronic transformer, Switch mode power supply. / Eq

Другие IGBT... MRF5015, MRF5035, 2N7002K1, BR10N60, BR20N50, BR2N7002AK2, BR2N7002LK2, BR40N20, 2N60, BR50N03, BR6N70, BR7N65, BRA10N65, BRA7N65, BRB100N03, BRB10N65, BRB13N50