Справочник MOSFET. BRA10N65

 

BRA10N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRA10N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 69 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 166 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
 

 Аналог (замена) для BRA10N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRA10N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1068K  blue-rocket-elect
 bra10n65.pdf pdf_icon

BRA10N65

BRA10N65 Rev.B Sep.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-262 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-262 Plastic Package. / Features ,,, Low gate charge, low crss, fast switching, HF product. / Applications DC/DC These devices are well

Другие MOSFET... BR20N50 , BR2N7002AK2 , BR2N7002LK2 , BR40N20 , BR4N70 , BR50N03 , BR6N70 , BR7N65 , RU6888R , BRA7N65 , BRB100N03 , BRB10N65 , BRB13N50 , BRB4N60 , BRB70R1K2 , BRB80N08A , BRB840 .

History: TPCL4203 | IXTY2N80P | IPAN50R500CE

 

 
Back to Top

 


 
.