BRA10N65. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRA10N65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

tr ⓘ - Время нарастания: 69 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 166 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для BRA10N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRA10N65 даташит

 ..1. Size:1068K  blue-rocket-elect
 bra10n65.pdf pdf_icon

BRA10N65

BRA10N65 Rev.B Sep.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-262 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-262 Plastic Package. / Features , , , Low gate charge, low crss, fast switching, HF product. / Applications DC/DC These devices are well

Другие IGBT... BR20N50, BR2N7002AK2, BR2N7002LK2, BR40N20, BR4N70, BR50N03, BR6N70, BR7N65, AO3400A, BRA7N65, BRB100N03, BRB10N65, BRB13N50, BRB4N60, BRB70R1K2, BRB80N08A, BRB840