Справочник MOSFET. BRB13N50

 

BRB13N50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BRB13N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 195 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 100 ns
   Выходная емкость (Cd): 180 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.48 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для BRB13N50

 

 

BRB13N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:817K  blue-rocket-elect
 brb13n50.pdf

BRB13N50 BRB13N50

BRB13N50 Rev.A Nov.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-263Plastic Package. / Features Low gate charge, Low Crss , Fast switching. / Applications AC/DC It is very suit

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top