BRB13N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRB13N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для BRB13N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRB13N50 даташит

 ..1. Size:817K  blue-rocket-elect
 brb13n50.pdf pdf_icon

BRB13N50

BRB13N50 Rev.A Nov.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-263Plastic Package. / Features Low gate charge, Low Crss , Fast switching. / Applications AC/DC It is very suit

Другие IGBT... BR4N70, BR50N03, BR6N70, BR7N65, BRA10N65, BRA7N65, BRB100N03, BRB10N65, 7N60, BRB4N60, BRB70R1K2, BRB80N08A, BRB840, BRCS010N03SZC, BRCS010N04SZC, BRCS015N04SZC, BRCS016N03DP