Справочник MOSFET. BRB13N50

 

BRB13N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRB13N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для BRB13N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRB13N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:817K  blue-rocket-elect
 brb13n50.pdf pdf_icon

BRB13N50

BRB13N50 Rev.A Nov.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-263Plastic Package. / Features Low gate charge, Low Crss , Fast switching. / Applications AC/DC It is very suit

Другие MOSFET... BR4N70 , BR50N03 , BR6N70 , BR7N65 , BRA10N65 , BRA7N65 , BRB100N03 , BRB10N65 , MMIS60R580P , BRB4N60 , BRB70R1K2 , BRB80N08A , BRB840 , BRCS010N03SZC , BRCS010N04SZC , BRCS015N04SZC , BRCS016N03DP .

 

 
Back to Top

 


 
.