Справочник MOSFET. BRB4N60

 

BRB4N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRB4N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для BRB4N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRB4N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:795K  blue-rocket-elect
 brb4n60.pdf pdf_icon

BRB4N60

BRB4N60 Rev.D May.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency

Другие MOSFET... BR50N03 , BR6N70 , BR7N65 , BRA10N65 , BRA7N65 , BRB100N03 , BRB10N65 , BRB13N50 , RU7088R , BRB70R1K2 , BRB80N08A , BRB840 , BRCS010N03SZC , BRCS010N04SZC , BRCS015N04SZC , BRCS016N03DP , BRCS016N03SZC .

History: 2SK3847B | IXTT30N50P | IRFP9233 | CSD17303Q5 | SWP062R08E8T | VBM1310 | RHU003N03FRA

 

 
Back to Top

 


 
.