BRB4N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRB4N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для BRB4N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRB4N60 даташит

 ..1. Size:795K  blue-rocket-elect
 brb4n60.pdf pdf_icon

BRB4N60

BRB4N60 Rev.D May.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency

Другие IGBT... BR50N03, BR6N70, BR7N65, BRA10N65, BRA7N65, BRB100N03, BRB10N65, BRB13N50, IRFZ48N, BRB70R1K2, BRB80N08A, BRB840, BRCS010N03SZC, BRCS010N04SZC, BRCS015N04SZC, BRCS016N03DP, BRCS016N03SZC