BRB4N60 - аналоги и даташиты транзистора

 

BRB4N60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BRB4N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для BRB4N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRB4N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:795K  blue-rocket-elect
 brb4n60.pdf pdf_icon

BRB4N60

BRB4N60 Rev.D May.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency

Другие MOSFET... BR50N03 , BR6N70 , BR7N65 , BRA10N65 , BRA7N65 , BRB100N03 , BRB10N65 , BRB13N50 , 60N06 , BRB70R1K2 , BRB80N08A , BRB840 , BRCS010N03SZC , BRCS010N04SZC , BRCS015N04SZC , BRCS016N03DP , BRCS016N03SZC .

History: IXFT16N90Q | CEP93A3 | CS9N65F | CHM4060APAGP | IRFP460 | HRLD72N06 | IXFH80N085

 

 
Back to Top

 


 
.