Справочник MOSFET. BRB840

 

BRB840 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRB840
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для BRB840

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRB840 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:706K  blue-rocket-elect
 brb840.pdf pdf_icon

BRB840

BRB840 Rev.D May.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficie

Другие MOSFET... BRA10N65 , BRA7N65 , BRB100N03 , BRB10N65 , BRB13N50 , BRB4N60 , BRB70R1K2 , BRB80N08A , 60N06 , BRCS010N03SZC , BRCS010N04SZC , BRCS015N04SZC , BRCS016N03DP , BRCS016N03SZC , BRCS016N03ZC , BRCS020N03RA , BRCS020N03ZC .

History: STV200N55F3 | CED3172 | SM2F07NSU | SPI15N60CFD | CEU83A3 | 2SK1546

 

 
Back to Top

 


 
.