BRB840 - аналоги и даташиты транзистора

 

BRB840 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BRB840
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для BRB840

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRB840 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:706K  blue-rocket-elect
 brb840.pdf pdf_icon

BRB840

BRB840 Rev.D May.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficie

Другие MOSFET... BRA10N65 , BRA7N65 , BRB100N03 , BRB10N65 , BRB13N50 , BRB4N60 , BRB70R1K2 , BRB80N08A , EMB04N03H , BRCS010N03SZC , BRCS010N04SZC , BRCS015N04SZC , BRCS016N03DP , BRCS016N03SZC , BRCS016N03ZC , BRCS020N03RA , BRCS020N03ZC .

History: IPP057N06N3G | APT5020BN | 6N65KG-TN3-R | IRFR430APBF | STU7N80K5 | IXTC62N15P | CS8N60P

 

 
Back to Top

 


 
.