BRB840. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRB840

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для BRB840

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRB840 даташит

 ..1. Size:706K  blue-rocket-elect
 brb840.pdf pdf_icon

BRB840

BRB840 Rev.D May.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficie

Другие IGBT... BRA10N65, BRA7N65, BRB100N03, BRB10N65, BRB13N50, BRB4N60, BRB70R1K2, BRB80N08A, IRLB3034, BRCS010N03SZC, BRCS010N04SZC, BRCS015N04SZC, BRCS016N03DP, BRCS016N03SZC, BRCS016N03ZC, BRCS020N03RA, BRCS020N03ZC