BRCS016N03DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRCS016N03DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 125 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 890 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для BRCS016N03DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRCS016N03DP даташит

 ..1. Size:898K  blue-rocket-elect
 brcs016n03dp.pdf pdf_icon

BRCS016N03DP

 4.1. Size:677K  blue-rocket-elect
 brcs016n03szc.pdf pdf_icon

BRCS016N03DP

BRCS016N03SZC Rev.B Mar.-2021 DATA SHEET / Descriptions PDFN5*6 N N-Channel MOSFET in a PDFN5*6 Plastic Package . / Features Low RDS(ON) to minimize conductive loss;low Gate Charge for fast switching;Low Thermal resistance;HF

 4.2. Size:700K  blue-rocket-elect
 brcs016n03zc.pdf pdf_icon

BRCS016N03DP

BRCS016N03ZC Rev.A Dec.-2021 DATA SHEET / Descriptions PDFN5 6 N N-Channel MOSFET in a PDFN5 6 Plastic Package . / Features Low RDS(ON) to minimize conductive loss, low Gate Charge for fast switching, Low Thermal resistance,

 8.1. Size:1397K  blue-rocket-elect
 brcs010n04szc.pdf pdf_icon

BRCS016N03DP

BRCS010N04SZC Rev.B May.-2023 DATA SHEET / Descriptions PDFN5 6 N N-Channel MOSFET in a PDFN5 6 Plastic Package. / Features Low R to minimize conductive loss;low Gate Charge for fast switching;Low Thermal resistance; DS(ON

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BRB13N50, BRB4N60, BRB70R1K2, BRB80N08A, BRB840, BRCS010N03SZC, BRCS010N04SZC, BRCS015N04SZC, K2611, BRCS016N03SZC, BRCS016N03ZC, BRCS020N03RA, BRCS020N03ZC, BRCS020N04BD, BRCS020N04RA, BRCS020N04ZC, BRCS020N06SBD