BRCS035N03DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRCS035N03DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 122 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для BRCS035N03DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRCS035N03DP даташит

 ..1. Size:1801K  blue-rocket-elect
 brcs035n03dp.pdf pdf_icon

BRCS035N03DP

 4.1. Size:1848K  blue-rocket-elect
 brcs035n03zc.pdf pdf_icon

BRCS035N03DP

 5.1. Size:2015K  blue-rocket-elect
 brcs035n08shbd.pdf pdf_icon

BRCS035N03DP

BRCS035N08SHBD Rev.A Feb.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features , Ultra Low On-Resistance,fast switching, HF Product. / Applications BMS BMS appliances, High power inve

 5.2. Size:1676K  blue-rocket-elect
 brcs035n04sdp.pdf pdf_icon

BRCS035N03DP

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BRCS025N04DP, BRCS030N03DP, BRCS030N03ZC, BRCS030N04DP, BRCS030N06SBD, BRCS030N06SZC, BRCS030N10SHBD, BRCS030N10SHRA, IRFP460, BRCS035N03ZC, BRCS035N04SDP, BRCS035N06SDP, BRCS035N06SZC, BRCS035N08SHBD, BRCS035N08SHRA, BRCS035N08SHZC, BRCS035N10SHBD