BRCS050N03DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRCS050N03DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 168 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для BRCS050N03DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRCS050N03DP даташит

 ..1. Size:1504K  blue-rocket-elect
 brcs050n03dp.pdf pdf_icon

BRCS050N03DP

 3.1. Size:1667K  blue-rocket-elect
 brcs050n03dsc.pdf pdf_icon

BRCS050N03DP

 4.1. Size:1115K  blue-rocket-elect
 brcs050n03zc.pdf pdf_icon

BRCS050N03DP

BRCS050N03ZC Rev.B Jul.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN5 6 N N-Channel MOSFET in a PDFN5 6 Plastic Package. / Features Low RDS(ON) to minimize conductive loss;low Gate Charge for fast switching;Low Thermal resistance;HF

 4.2. Size:1342K  blue-rocket-elect
 brcs050n03yb.pdf pdf_icon

BRCS050N03DP

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BRCS035N10SHBD, BRCS035N10SHZC, BRCS040N02DP, BRCS040N03DP, BRCS045N08SHBD, BRCS045N08SHRA, BRCS045N10SHBD, BRCS045N10SHRA, 8205A, BRCS050N03DSC, BRCS050N03YB, BRCS050N03ZC, BRCS050N04BD, BRCS050N04RA, BRCS050N04YB, BRCS050N085HRA, BRCS055N08SHBD