BRCS060N03ZC. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRCS060N03ZC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

Аналог (замена) для BRCS060N03ZC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRCS060N03ZC даташит

 ..1. Size:798K  blue-rocket-elect
brcs060n03zc.pdfpdf_icon

BRCS060N03ZC

BRCS060N03ZC Rev.B May.-2021 DATA SHEET / Descriptions PDFN5*6 N N-Channel MOSFET in a PDFN5*6 Plastic Package . / Features Low RDS(ON) to minimize conductive loss;low Gate Charge for fast switching;Low Thermal resistance. / Applicat

 3.1. Size:649K  blue-rocket-elect
brcs060n03zb.pdfpdf_icon

BRCS060N03ZC

 4.1. Size:648K  blue-rocket-elect
brcs060n03yb.pdfpdf_icon

BRCS060N03ZC

BRCS060N03YB Rev.A Aug.-2021 DATA SHEET / Descriptions PDFN 3 3A-8L N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a PDFN 3 3A-8L Plastic Package. / Features VDS (V) = 30V ID =40 A (VGS = 20V) RDS(ON)@10V 6mR(Typ.4.7mR) HF Product. / Applications DC/DC

 4.2. Size:1227K  blue-rocket-elect
brcs060n03dp.pdfpdf_icon

BRCS060N03ZC

BRCS060N03DP Rev.A Jun.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a TO-252 Plastic Package. / Features VDS (V) = 30V ID =67A (VGS = 20V) RDS(ON)@10V 6mR HF Product. / Applications DC/DC , DC/DC C

Другие IGBT... BRCS050N04RA, BRCS050N04YB, BRCS050N085HRA, BRCS055N08SHBD, BRCS055N08SHRA, BRCS060N03DP, BRCS060N03YB, BRCS060N03ZB, K3569, BRCS060N04DP, BRCS060N04SZC, BRCS060N04YM, BRCS060N08HZC, BRCS060N15SHRA, BRCS065N08SHBD, BRCS065N08SHRA, BRCS065N08SHZC