BRCS060N04DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRCS060N04DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 265 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для BRCS060N04DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRCS060N04DP даташит

 ..1. Size:1727K  blue-rocket-elect
 brcs060n04dp.pdf pdf_icon

BRCS060N04DP

 4.1. Size:1822K  blue-rocket-elect
 brcs060n04szc.pdf pdf_icon

BRCS060N04DP

BRCS060N04SZC Rev.C Jul.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN5 6 N N-Channel MOSFET in a PDFN5 6 Plastic Package . / Features Low R to minimize conductive loss;low Gate Charge for fast switching;Low Thermal DS(ON) resistan

 4.2. Size:1746K  blue-rocket-elect
 brcs060n04ym.pdf pdf_icon

BRCS060N04DP

BRCS060N04YM Rev.D Mar.-2023 DATA SHEET / Descriptions PDFN5 6A N Dual N-CHANNEL MOSFET in a PDFN5 6A Plastic Package. / Features Dual N-Ch VDS(V)=40V ID=60.2A RDS(ON)

 5.1. Size:798K  blue-rocket-elect
 brcs060n03zc.pdf pdf_icon

BRCS060N04DP

BRCS060N03ZC Rev.B May.-2021 DATA SHEET / Descriptions PDFN5*6 N N-Channel MOSFET in a PDFN5*6 Plastic Package . / Features Low RDS(ON) to minimize conductive loss;low Gate Charge for fast switching;Low Thermal resistance. / Applicat

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BRCS050N04YB, BRCS050N085HRA, BRCS055N08SHBD, BRCS055N08SHRA, BRCS060N03DP, BRCS060N03YB, BRCS060N03ZB, BRCS060N03ZC, IRFP260, BRCS060N04SZC, BRCS060N04YM, BRCS060N08HZC, BRCS060N15SHRA, BRCS065N08SHBD, BRCS065N08SHRA, BRCS065N08SHZC, BRCS070N03DP