BRCS070N10SZC. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRCS070N10SZC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 113.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

Аналог (замена) для BRCS070N10SZC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRCS070N10SZC даташит

 ..1. Size:1408K  blue-rocket-elect
 brcs070n10szc.pdf pdf_icon

BRCS070N10SZC

BRCS070N10SZC Rev.A Jun.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN5 6 N N-Channel MOSFET in a PDFN5 6 Plastic Package. / Features Low RDS(ON) to minimize conductive loss;low Gate Charge for fast switching;Low Thermal resistance;

 6.1. Size:1249K  blue-rocket-elect
 brcs070n08szc.pdf pdf_icon

BRCS070N10SZC

BRCS070N08SZC Rev.A May.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN5 6 N N-Channel MOSFET in a PDFN5 6 Plastic Package. / Features Low RDS(ON) to minimize conductive loss;low Gate Charge for fast switching;Low Thermal resistance;H

 6.2. Size:1674K  blue-rocket-elect
 brcs070n03dsc.pdf pdf_icon

BRCS070N10SZC

 6.3. Size:1464K  blue-rocket-elect
 brcs070n03dp.pdf pdf_icon

BRCS070N10SZC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BRCS060N15SHRA, BRCS065N08SHBD, BRCS065N08SHRA, BRCS065N08SHZC, BRCS070N03DP, BRCS070N03DSC, BRCS070N08SRA, BRCS070N08SZC, IRF530, BRCS070P03DP, BRCS070P03YB, BRCS070P03YM, BRCS080C03SC, BRCS080C03YA, BRCS080C03YM, BRCS080C04SC, BRCS080N02RA