BRCS080N03YB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRCS080N03YB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3A-8L

Аналог (замена) для BRCS080N03YB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRCS080N03YB даташит

 ..1. Size:1829K  blue-rocket-elect
brcs080n03yb.pdfpdf_icon

BRCS080N03YB

BRCS080N03YB Rev.A Mar.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN 3 3A-8L N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a PDFN 3 3A-8L Plastic Package. / Features VDS (V) = 30V ID =30 A (VGS = 20V) RDS(ON)@10V 9mR(Typ.8mR) HF Product. / Applications DC/DC

 4.1. Size:1674K  blue-rocket-elect
brcs080n03dsc.pdfpdf_icon

BRCS080N03YB

 5.1. Size:1268K  blue-rocket-elect
brcs080n04sc.pdfpdf_icon

BRCS080N03YB

BRCS080N04SC Rev.A Jun.-2022 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a SOP-8 Plastic Package. / Features VDS = 40V ID =15A (VGS = 20V) RDS(ON)@10V 8mR(Typ.6.4mR) HF Product. / Applications

 5.2. Size:1705K  blue-rocket-elect
brcs080n04sdp.pdfpdf_icon

BRCS080N03YB

BRCS080N04SDP Rev.A Sep.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features V (V) = 40V DS I =54A (V = 20V) D GS R DS(ON)@10V 8mR(Typ.7.5mR) HF Product. / Applications DC/DC These devices are well suite

Другие IGBT... BRCS080C03SC, BRCS080C03YA, BRCS080C03YM, BRCS080C04SC, BRCS080N02RA, BRCS080N02ZB, BRCS080N02ZJ, BRCS080N03DSC, 2SK3568, BRCS080N04SC, BRCS080N04SDP, BRCS080N04YB, BRCS080N04ZB, BRCS080N04ZC, BRCS080N10SHBD, BRCS080N10SHDP, BRCS080N10SHRA