Справочник MOSFET. BRCS120P03YB

 

BRCS120P03YB MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BRCS120P03YB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
   trⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3A-8L

 Аналог (замена) для BRCS120P03YB

 

 

BRCS120P03YB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2244K  blue-rocket-elect
 brcs120p03yb.pdf

BRCS120P03YB BRCS120P03YB

BRCS120P03YB Rev.A Dec.-2021 DATA SHEET / Descriptions PDFN33A-8L P MOS P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a PDFN33A-8L Plastic Package. / Features VDS (V) = -30V ID =-35 A (VGS = 20V) RDS(ON)@10V12mR(Typ.10mR) HFProduct. / Applications DC/DC

 4.1. Size:1263K  blue-rocket-elect
 brcs120p03zc.pdf

BRCS120P03YB BRCS120P03YB

BRCS120P03ZC Rev.A Dec.-2021 DATA SHEET / Descriptions PDFN56 P P-Channel MOSFET in a PDFN56 Plastic Package. / Features Low RDS(ON) to minimize conductive loss;low Gate Charge for fast switching;Low Thermal resistance. / Applica

 5.1. Size:643K  blue-rocket-elect
 brcs120p012zj.pdf

BRCS120P03YB BRCS120P03YB

BRCS120P012ZJ Rev.B Dec.-2021 DATA SHEET / Descriptions DFN 2*2B-6L P MOS P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN 2*2B-6L Plastic Package. / Features VDS (V) = -12V ID = -8 A (VGS = 10V) HF Product. / Applications Power

 5.2. Size:1550K  blue-rocket-elect
 brcs120p04zc.pdf

BRCS120P03YB BRCS120P03YB

BRCS120P04ZC Rev.A Jul.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN56 P P-Channel MOSFET in a PDFN56 Plastic Package. / Features Low RDS(ON) to minimize conductive loss;low Gate Charge for fast switching;Low Thermal resistance; H

 5.3. Size:1059K  blue-rocket-elect
 brcs120p04dp.pdf

BRCS120P03YB BRCS120P03YB

BRCS120P04DP Rev.A Aug.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features Low On-Resistance, fast switching,HF Product. / Applications DC/DC Power Management of Industrial DC/DC Converter.

 5.4. Size:1734K  blue-rocket-elect
 brcs120p04yb.pdf

BRCS120P03YB BRCS120P03YB

BRCS120P04YB Rev.A Dec.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN 33A-8L P MOS P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a PDFN 33A-8L Plastic Package. / Features V (V) = -40V DSI =-41A (V = 20V) D GS RDS(ON)@-10V13.5mR(Typ.11.6mR) HF Product. / Applications

 5.5. Size:683K  blue-rocket-elect
 brcs120p012mc.pdf

BRCS120P03YB BRCS120P03YB

BRCS120P012MC Rev.A Sep.-2020 DATA SHEET / Descriptions SOT23-3 P MOS P- CHANNEL MOSFET in a SOT23-3 Plastic Package. / Features VDS (V) = -12V ID = -6 A (VGS = 10V) HF Product. / Applications Power Management in Notebook computer, Portable Eq

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top