BRCS120P04DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRCS120P04DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2800 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для BRCS120P04DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRCS120P04DP даташит

 ..1. Size:1059K  blue-rocket-elect
 brcs120p04dp.pdf pdf_icon

BRCS120P04DP

BRCS120P04DP Rev.A Aug.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features Low On-Resistance, fast switching,HF Product. / Applications DC/DC Power Management of Industrial DC/DC Converter.

 4.1. Size:1550K  blue-rocket-elect
 brcs120p04zc.pdf pdf_icon

BRCS120P04DP

BRCS120P04ZC Rev.A Jul.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN5 6 P P-Channel MOSFET in a PDFN5 6 Plastic Package. / Features Low RDS(ON) to minimize conductive loss;low Gate Charge for fast switching;Low Thermal resistance; H

 4.2. Size:1734K  blue-rocket-elect
 brcs120p04yb.pdf pdf_icon

BRCS120P04DP

 5.1. Size:643K  blue-rocket-elect
 brcs120p012zj.pdf pdf_icon

BRCS120P04DP

BRCS120P012ZJ Rev.B Dec.-2021 DATA SHEET / Descriptions DFN 2*2B-6L P MOS P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN 2*2B-6L Plastic Package. / Features VDS (V) = -12V ID = -8 A (VGS = 10V) HF Product. / Applications Power

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BRCS120N06SRA, BRCS120N06SYM, BRCS120N06YB, BRCS120N10SZC, BRCS120P012MC, BRCS120P012ZJ, BRCS120P03YB, BRCS120P03ZC, RU7088R, BRCS120P04YB, BRCS120P04ZC, BRCS12N65BD, BRCS140P03YB, BRCS150C016YN, BRCS150C02YA, BRCS150N10SBD, BRCS150N10SDP