BRCS150P04DP - описание и поиск аналогов

 

BRCS150P04DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRCS150P04DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для BRCS150P04DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRCS150P04DP даташит

 ..1. Size:1067K  blue-rocket-elect
 brcs150p04dp.pdf pdf_icon

BRCS150P04DP

 4.1. Size:1090K  blue-rocket-elect
 brcs150p04sc.pdf pdf_icon

BRCS150P04DP

 5.1. Size:1521K  blue-rocket-elect
 brcs150p02mc.pdf pdf_icon

BRCS150P04DP

BRCS150P02MC Rev.B Mar.-2023 DATA SHEET / Descriptions SOT23-3 P MOS P- CHANNEL MOSFET in a SOT23-3 Plastic Package. / Features V (V) = -20V DS I = -7.0A D R DS(ON)@-4.5V 17m (Type.15m ) HF Product. / Applications Power Management in

 5.2. Size:966K  blue-rocket-elect
 brcs150p02zj.pdf pdf_icon

BRCS150P04DP

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BRCS150N10SBD , BRCS150N10SDP , BRCS150N10SRA , BRCS150N10SZC , BRCS150N12SRA , BRCS150N12SZC , BRCS150P02MC , BRCS150P02ZJ , 50N06 , BRCS150P04SC , BRCS18N20DP , BRCS18N20FA , BRCS18N20RA , BRCS1C0P06DSC , BRCS1C5P06MA , BRCS1C5P06MF , BRCS200N03YN .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.