BRCS900N10SYM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BRCS900N10SYM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6A
Аналог (замена) для BRCS900N10SYM
BRCS900N10SYM Datasheet (PDF)
brcs900n10sym.pdf
BRCS900N10SYM Rev.C Feb.-2023 DATA SHEET / Descriptions PDFN56A N Dual N-CHANNEL MOSFET in a PDFN56A Plastic Package. / Features Dual N-Ch VDS(V)=100V ID=13.7A RDS(ON)
brcs900p10dp.pdf
BRCS900P10DP Rev.A Aug.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features VDS(V)=-100V ID=-18A RDS(ON)@-10V
brcs90p03dp.pdf
BRCS90P03DP Rev.A .May.-2019 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features Lowgatecharge,lowcrss,fastswitching. Halogen-free Product. / Applications DC/DC These d
brcs90p03ra.pdf
BRCS90P03RA Rev.B .Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features Lowgatecharge,lowcrss,fastswitching. / Applications DC/DC These devices are well suited for hig
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918