BRCS900N10SYM - описание и поиск аналогов

 

BRCS900N10SYM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRCS900N10SYM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6A

Аналог (замена) для BRCS900N10SYM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRCS900N10SYM даташит

 ..1. Size:1679K  blue-rocket-elect
 brcs900n10sym.pdf pdf_icon

BRCS900N10SYM

 7.1. Size:2021K  blue-rocket-elect
 brcs900p10dp.pdf pdf_icon

BRCS900N10SYM

BRCS900P10DP Rev.A Aug.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features VDS(V)=-100V ID=-18A RDS(ON)@-10V

 8.1. Size:3550K  blue-rocket-elect
 brcs90p03dp.pdf pdf_icon

BRCS900N10SYM

BRCS90P03DP Rev.A .May.-2019 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features Low gate charge,low crss,fast switching. Halogen-free Product. / Applications DC/DC These d

 8.2. Size:3651K  blue-rocket-elect
 brcs90p03ra.pdf pdf_icon

BRCS900N10SYM

BRCS90P03RA Rev.B .Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features Low gate charge,low crss,fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for hig

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BRCS50N06RA , BRCS5N50YU , BRCS5P06MC , BRCS5P06MF , BRCS60N02DP , BRCS630FA , BRCS700P10DP , BRCS800P06SC , IRF540N , BRCS900P10DP , BRCS90P03DP , BRCS9N20YU , BRD4N65S , BRD5N20 , BRD5N65 , BRD640 , BRD65R1K0C .

History: FDS4675

 

 

 

 

↑ Back to Top
.