BRD640 - описание и поиск аналогов

 

BRD640. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRD640

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 186 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 121 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для BRD640

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRD640 даташит

 ..1. Size:1175K  blue-rocket-elect
 brd640.pdf pdf_icon

BRD640

BRD640 Rev.D May.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency swi

Другие MOSFET... BRCS800P06SC , BRCS900N10SYM , BRCS900P10DP , BRCS90P03DP , BRCS9N20YU , BRD4N65S , BRD5N20 , BRD5N65 , IRLZ44N , BRD65R1K0C , BRD65R280C , BRD65R380C , BRD65R600C , BRD65R650C , BRD7002K1 , BRD7002K2 , BRD7N60 .

History: SE6003C

 

 

 

 

↑ Back to Top
.