Справочник MOSFET. BRD640

 

BRD640 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRD640
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 186 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 1 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 121 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для BRD640

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRD640 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1175K  blue-rocket-elect
 brd640.pdf pdf_icon

BRD640

BRD640 Rev.D May.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency swi

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFP460 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: IRF820 | 2N7057 | IRFZ14A

 

 
Back to Top

 


 
.