BRFL4N65S - описание и поиск аналогов

 

BRFL4N65S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRFL4N65S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 102 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm

Тип корпуса: TO-220FL

Аналог (замена) для BRFL4N65S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRFL4N65S даташит

 ..1. Size:1576K  blue-rocket-elect
 brfl4n65s.pdf pdf_icon

BRFL4N65S

BRFL4N65S Rev.A Dec.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features Low gate charge, low crss, fast switching,Have good Electromagnetic Interference porformance. / Applications

Другие MOSFET... BRF65R650C , BRFL10N65S , BRFL12N65S , BRFL13N50 , BRFL15N50 , BRFL20N50 , BRFL20N65 , BRFL24N50 , K3569 , BRFL60R190C , BRFL65R160C , BRFL65R380C , BRFL70R360C , BRFL7N65S , BRFL8N65 , BRGN250N65YK , BRI2N70 .

History: AP03N70H-HF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.