Справочник MOSFET. BRFL4N65S

 

BRFL4N65S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRFL4N65S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 102 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FL
 

 Аналог (замена) для BRFL4N65S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRFL4N65S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1576K  blue-rocket-elect
 brfl4n65s.pdf pdf_icon

BRFL4N65S

BRFL4N65S Rev.A Dec.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features Low gate charge, low crss, fast switching,Have good Electromagnetic Interference porformance. / Applications

Другие MOSFET... BRF65R650C , BRFL10N65S , BRFL12N65S , BRFL13N50 , BRFL15N50 , BRFL20N50 , BRFL20N65 , BRFL24N50 , SPP20N60C3 , BRFL60R190C , BRFL65R160C , BRFL65R380C , BRFL70R360C , BRFL7N65S , BRFL8N65 , BRGN250N65YK , BRI2N70 .

History: 2SK3755 | RJK03E4DPA | APM9988QA | SSM6N40TU | PP9H06BD | CJAB40N03 | NCE6890D

 

 
Back to Top

 


 
.