BRFL60R190C - описание и поиск аналогов

 

BRFL60R190C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRFL60R190C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO-220FL

Аналог (замена) для BRFL60R190C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRFL60R190C даташит

 ..1. Size:2144K  blue-rocket-elect
 brfl60r190c.pdf pdf_icon

BRFL60R190C

BRFL60R190C Rev.A Feb.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N 600V N-CHANNEL 600V Super-Junction Power MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features R Qg 100% ROHS DS(on) Very low R Qg,100%avalanche tested,RoHS compliant,with

 9.1. Size:2472K  blue-rocket-elect
 brfl65r380c.pdf pdf_icon

BRFL60R190C

 9.2. Size:1706K  blue-rocket-elect
 brfl65r160c.pdf pdf_icon

BRFL60R190C

Другие MOSFET... BRFL10N65S , BRFL12N65S , BRFL13N50 , BRFL15N50 , BRFL20N50 , BRFL20N65 , BRFL24N50 , BRFL4N65S , IRFP260 , BRFL65R160C , BRFL65R380C , BRFL70R360C , BRFL7N65S , BRFL8N65 , BRGN250N65YK , BRI2N70 , BRI4N70 .

History: SWD051R08ES | AP9970GW | IXFT50N85XHV

 

 

 

 

↑ Back to Top
.