Справочник MOSFET. BRU24N50

 

BRU24N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRU24N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 311 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для BRU24N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRU24N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1209K  blue-rocket-elect
 bru24n50.pdf pdf_icon

BRU24N50

BRU24N50 Rev.A Aug.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-3P N MOS N-Channel MOSFET in a TO-3P Plastic Package. / Features V =500V I =24A DS DRDS(ON)@10V0.25(Typ. 0.17) RDS(ON)@6V0.3(Typ. 0.18m) / Applications

Другие MOSFET... BRI2N70 , BRI4N70 , BRI50N06 , BRI5N65 , BRI65R380C , BRI740 , BRI7N60 , BRI7N65 , IRFP250 , BRU26N50 , BSS123K2 , RU12N65P , RU13N65R , RU15P12C , RU17P12C , RU17P6C , RU18N65P .

History: STP16N60M2 | WMLL025N10HGS | MTP1N50E

 

 
Back to Top

 


 
.