Справочник MOSFET. BRU24N50

 

BRU24N50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BRU24N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 270 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 24 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 214 nC
   Время нарастания (tr): 5.6 ns
   Выходная емкость (Cd): 311 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.25 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P

 Аналог (замена) для BRU24N50

 

 

BRU24N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1209K  blue-rocket-elect
 bru24n50.pdf

BRU24N50 BRU24N50

BRU24N50 Rev.A Aug.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-3P N MOS N-Channel MOSFET in a TO-3P Plastic Package. / Features V =500V I =24A DS DRDS(ON)@10V0.25(Typ. 0.17) RDS(ON)@6V0.3(Typ. 0.18m) / Applications

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top